作品包括:
Word版设计说明书1份
CAD版本图纸,共4张
SW三维图一份
摘要
随着半导体加工节点进一步推进,半导体中关键尺寸(CD)不断减小,对半导体检测技术提出了新的要求。在动态随机存储器(DRAM)芯片中出现了高深宽比的瓶状沟槽结构,对于该结构传统的测量方式无法对瓶状沟槽的瓶颈长度和沟槽的深度进行准确的测量。然而,傅里叶中红外光谱仪在测量瓶状沟槽CD时,具有准确、快速、灵敏度高、非接触等特点。面向深沟槽结构关键尺寸的测量需求,本论文围绕基于模型的傅里叶中红外反射光谱仪展开研制设计。
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